- 1mΩから111MΩまでの抵抗
- ダブルパワーバージョンで利用可能：HARS-X2
- 幅広い選択：1〜11年単位
- 高精度 - 0.01％（100ppm）
- HARS-X：±（0.01％+2mΩ）
- HARS-B：±（0.1％+4mΩ）
- 非常に低いゼロ抵抗：HARS-Xの10年あたり1mΩ以下
- 高性能ソリッドシルバー合金接点
- 低温係数： - 5 ppm /℃
- 非誘導性または低インダクタンスの抵抗
- ラックマウント可能
HARSシリーズは、費用対効果の高い実験室グレード、厳しい公差、高性能の耐性ボックスを必要とする場合に最適です。
高精度抵抗Substituter（HARS）耐性ボックスは、高性能抵抗源の非常に幅広い選択肢を提供する一連の機器です。 1mΩの低い分解能と最大111MΩの利用可能な抵抗により、高精度、良好な安定性、低ゼロ抵抗が要求される厳しい精密測定アプリケーションに使用できます。 1から11までの何十年もの任意の精度で利用可能です。
HARS抵抗デケードボックスは、安定性、温度係数、電力係数、および周波数応答の優れた特性を備えた精密抵抗源です。 HARSシリーズは銀合金接点を備えた非常に低抵抗のスイッチを採用しています。特別な設計により、HARS-Xではゼロ抵抗が10年ごとに1mΩ以下に抑えられます。セルフクリーニングは、銀接点が未使用時に変色するのを防ぎます。これは、デジタルマルチメータまたは他のテスト機器によって微少なテスト電流のみが引き出される場合が最も一般的です。接触抵抗は安定しており、低く繰り返しが可能です。
HARS抵抗デカッドボックスは高品質の金メッキテルル - 銅結合ポストを備えており、直流抵抗測定値の変化を人為的に反映する熱エンドエフェクトを最小限に抑えます。抵抗デケードボックス内の他のすべての導体は、使用されるはんだと同様に、熱起電力問題に寄与する金属または接合部を含まない。
HARS抵抗ディケードボックスアプリケーション
- * DCおよびACブリッジのコンポーネントとして使用できます。
- *抵抗校正または転送標準として優れた選択肢
- *精密RTDシミュレータとして。
- * HARSシリーズ10桁のボックスは、測定/制御システムのコンポーネントとしてラックマウントすることができます
HARS-X Series Resistance Decade Box Basic Specifications (Full specifications can be found on datasheet)
Accuracy: ≤1 MΩ steps: ±(0.01% + 2 mΩ) 10 MΩ steps: ±0.03% after subtraction of zero resistance, at 23°C; traceable to SI
Zero Resistance: <1 mΩ per decade at dc for ≤1 MΩ decades: 10 MΩ decade: ≈3 mΩ at dc
Maximum Voltage to Case: 2000 V peak Switches:
Continuous rotation 11 positions marked "0"-"10" Multiple solid silver-alloy contacts
Resistance per step | Total decade resistance | Stability (±ppm/yr) | Long-term stability (±ppm/3 yrs) | Temperature coefficient (±ppm/°C) | Resistor type | HARS-X | HARS-X2 | ||||
Max current | Max voltage (per step) | Max power (per step) | Max current | Max voltage (per step) | Max power (per step) | ||||||
1 mΩ | 10 mΩ | 50 | 75 | 50 | Resistance wire | 8 A | 5 mV | 0.04 W | 9:A | 9 mV | 0.08 W |
10 mΩ | 100 mΩ | 50 | 75 | 20 | 4 A | 40 mV | 0.16 W | 6.3 A | 63 mV | 0.4 W | |
100 mΩ | 1 Ω | 50 | 75 | 20 | 1.6 A | 0.16 V | 0.25 W | 2.2 A | 0.3 V | 0.5 W | |
1 Ω | 10 Ω | 20 | 25 | 20 | Wirewound, non-inductive | 0.8 A | 0.8 V | 0.6 W | 1.1 A | 1.1 V | 1.2 W |
10 Ω | 100 Ω | 20 | 25 | 15 | 0.25 A | 2.5 V | 0.6 W | 0.35 A | 3.5 V | 1.2 W | |
100 Ω | 1 kΩ | 20 | 25 | 5 | 80 mA | 8 V | 0.6 W | 110 mA | 11 V | 1.2 W | |
1 kΩ | 10 kΩ | 20 | 25 | 5 | 23 mA | 23 V | 0.5 W | 35 mA | 35 V | 1.2 W | |
10 kΩ | 100 kΩ | 20 | 25 | 5 | 7 mA | 70 V | 0.5 W | 11 mA | 110 V | 1.2 W | |
100 kΩ | 1 MΩ | 20 | 25 | 5 | 2.3 mA* | 230 V* | 0.5 W* | 3 mA* | 500 V* | 1 W* | |
1 MΩ | 10 MΩ | 20 | 25 | 5 | 0.7 mA* | 700 V* | 0.5 W* | 1 mA* | 1000 V* | 1 W* | |
10 MΩ | 100 MΩ | 50 | 100 | 10 | Metal oxide film | 0.1 mA* | 1000 V* | 0.1 W* | 0.1 mA* | 1000 V* | 0.1 W* |
| *Subject to maximum of 2000 V to case. | |||||||||||
